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半导体所“集成化宽频带光发射器件与模块”项目荣获国家技术发明二等奖

2019-01-08

2019年1月8日,中共中央、国务院在北京人民大会堂隆重举行国家科学技术奖励大会,对为我国科学技术进步、经济社会发展、国防现代化建设作出突出贡献的科学技术人员和组织给予奖励。

半导体所牵头申报?#21335;?#30446;“集成化宽频带光发射器件与模块”荣获国家技术发明二等奖。项目主要完成人:祝宁华,刘建国,陈向飞,马卫东,刘宇,陈伟。该项目是中国科学院半导体研究所、南京大学和武汉光迅科技股份有限公司三家单位通过多年合作完成的研究开发成果,联合承担了国内第一批光电子集成器件的重点研究项目,解决了集成化激光器模块在研究开发过程中面临的核心技术问题。研究成果受到国内外同行的广泛关注,与华为公司合作开发了我国首款实用化4×25G多波长激光器模块。基于专利技术研发的集成光收发模块用于华为、中兴、烽火、谷歌、阿朗等国内外知名公司系统设备中,并在国家多项高技术项目中获得了应用,为实现核心高端光电子集成器件的自主可控提供了保障。

据悉,国家科学技术奖励每年评审一次,包括国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科学技术进步奖“三大奖?#20445;?#27492;外,还包括授予外籍科学?#19968;?#22806;国组织的中华人民共和国国际科学技术合作奖,以及分量最重的国家最高科学技术奖。根据2017年5月最新发布的《关于深化科技奖励制度改革的方案》的有关规定,三大奖每年授奖总数不超过300项。



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